强流中子发生器中子产额测定

文章简述兰州大学3.3×10~(12)n/s强流中子发生器14MeV中子产额的测定。采用三种方法的七个测量手段进行比对测量。虽然在测试过程中遇到很强的中子本底、γ射线本底和电磁干扰,最终还是得到合理的比对结果。尤其是45°偏转半导体符合望远镜和~(238)U裂变室在不同束流下进行的比对测量结果说明两台测量装置在很宽的量程内测量稳定、可信。     

重离子核反应中的中子辐射屏蔽计算

在分析重离子核反应中中子的产生和有关保健物理数据的基础上,确定了用于屏蔽计算的核反应系统和计算参数,计算了单核能为100MeV、束流强度为3.9×10~(11)离子/s的~(12)C离子轰击Cu靶时距靶5m和10m处达到不同中子剂量当量率时需要设置的混凝土(ρ=2.3g/cm~3)屏蔽厚度。     

均匀场能谱分析仪的能量刻度

均匀场能谱分析仪常用来测量离子束的能量。在实际工作中常发现,根据加工后分析仪的场分布测量结果所确定的有效边界与理论设计值不一致,此时需对分析仪的能量刻度作重新校正。文章给出在一级近似下这种校正的计算公式。     

用于半导体器件瞬态特性研究的大幅度矩形纳秒脉冲发生器

本文提出了一个用于半导体激光器和其他高速器件瞬态特性研究的大幅度矩形纳秒脉冲发生器的设计.为了产生一对极性相反的高速同步脉冲,在设计中采用了我国发明的新功能器件──双向负阻晶体管(BNRT).为了获得高速大电流主脉冲输出,采用了同时触发的双雪崩晶体管串联组合电路.所研制的发生器的主脉冲输出,其电压幅度高达200V(在50Ω负载)、峰值电流为4A、上升时间约2ns、宽度5-100ns、晃动小于50ps.而且输出脉冲波形呈良好的矩形,其过冲和顶部不平坦度均小于±3％.     

利用BP神经网络实现三维物体姿态的测定

本文利用BP(Back-Propagation)人工神经网络对三维物体的姿态测定进行了研究。姿态测定一直缺少通用而实际的方法,人工神经网络由于具有强大的自组织、自适应学习能力,迅速的并行信息处理能力,可望解决这个问题。但现有BP算法存在训练慢和易陷入局部最小两个问题.本文提出的级联形式网络结构,使BP网络的训练速度大为提高,陷入局部最小的可能性大为降低。利用这种级联结构对飞机模型姿态测定,取得了较好的实验结果。     

光学多层介质膜与多量子阱集成器件

本文采用光学传输矩阵元的方法设计了一种集成型反射式多量子阱器件,并给出了理论计算结果。采用MOCVD生长方法制作了该器件,它由n型多层增透介质膜、i型多量子阱、p型多层高反射率介质膜所组成。测试了该器件的光电流谱和反射率谱,并与理论结果作了比较,二者附合得很好。这种器件可以发展成兼具调制、开关、双稳复合功能的反射式集成器件。     

GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的荧光特性

本文报道了4—300K温度范围内量子阱宽度分别为20、40、90和130A的GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的光荧光特性。我们考虑量子尺寸对载流子子能带的影响和弹性应变引起带隙的移动,计算了量子阱中本征激子发光的能量位置,计算值与实验结果基本吻合。还研究了荧光峰强度随阱宽的变化以及不同温度下荧光峰的半高宽度。     

氩离子在反应离子腐蚀Ⅲ-Ⅴ族材料中的作用

本文以一些实例和所得到的结果来说明Ar~+离子在抑制晶向腐蚀作用、调节钝化阻挡层,以及清除微粒淀积物等方面的作用。     

Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xP混晶的室温喇曼散射测试结果。所用的样品用液相外延方法生长在〈111〉晶向的GaP衬底上。混晶组分x值在0.16—0.65之间。实验结果表明,Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱呈现双模行为,具有类GaP和类AIP两个光学支。     

Ce—Si多层膜中铈硅化物的形成

超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2小时退火即可发生反应,形成混合层。随着退火温度从150℃上升,CeSi_2逐步形成,并在300—400℃之间完全反应。经RBS确定的化学配比为CeSi_(～1.73)。在150—400℃ CeSi,的形成过程中,选区衍射分析发现,在低温时薄膜中有些区域就存在小晶粒,但直到900℃10秒退火后,薄膜也只是多晶,而并未发现单晶外延迹象。